化學機械拋光機（CMP）是一種結合化學腐蝕和機械研磨的設備，用于實現晶圓表面的原子級平整。
CMP化學機械拋光機的工作原理是通過拋光液中的化學成分與晶圓表面材料發生輕微化學反應，使其軟化。隨后，拋光頭施加壓力，與拋光墊發生相對運動，物理性地去除反應物，從而達到整平的目的。這一過程包括化學作用和機械作用的協同配合，既能有效去除表面材料，又能避免單純機械拋光造成的表面損傷。
CMP拋光機由多個系統組成，包括拋光系統（拋光頭、拋光墊、拋光盤和修正器等）、清洗系統、終點檢測系統、控制系統以及傳輸系統。在集成電路制造過程中，CMP拋光機用于對晶圓表面進行平坦化處理，以消除表面起伏和缺陷，提高晶圓表面的平整度，這對于后續工藝步驟的順利進行和芯片性能的提升至關重要。此外，CMP技術也用于控制薄膜的厚度，確保其在制造過程中的精確性。
CMP技術結合了化學腐蝕與機械磨削的雙重作用，通過精密控制工藝參數，實現了對工件表面的高精度平坦化處理。拋光液通常由超細磨粒、化學腐蝕劑、分散劑、穩定劑等多種成分組成，這些成分的選擇和配比直接影響拋光效果。CMP技術能夠實現納米級甚至原子級的表面平整度，使得加工出的表面質量達到了前所未有的高度。
除了集成電路制造，CMP技術還被廣泛應用于光學器件加工及精密機械部件制造等領域，展現出了巨大的應用潛力和發展前景。隨著摩爾定律的不斷推進，集成電路的特征尺寸持續縮小，對表面平整度的要求也日益嚴苛。CMP技術不斷進化，從傳統的二氧化硅拋光擴展到對銅、鎢等金屬互連層的拋光，乃至對三維結構如FinFET和3D NAND存儲的拋光。
此外，化學機械拋光機還是一種用于電子與通信技術、航空、航天科學技術領域的工藝試驗儀器，能夠用于Si、SiC、Ge、GaN等半導體材料，SiO2、Si3N4、PSG、GeO、Al2O3等介質層以及Al普通金屬和Au、Pt等惰性金屬的化學機械拋光工藝。
綜上所述，化學機械拋光機是一種高精度、多功能的表面處理設備，在半導體制造和其他高科技領域發揮著重要作用。
